Транзистор ONSEMI MJ11016G NPN Дарлингтона, 120 В, 30 А, 200 Вт, TO3 — набор 3 шт.
1 870 ₴
- В наличии
- Код: TM075635
Транзистор ONSEMI MJ11016G NPN Дарлингтона, 120 В, 30 А, 200 Вт, TO3 — набор 3 шт.В наличии
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI MJ11016G — это биполярный транзистор типа NPN по схеме Дарлингтона, предназначенный для работы с высокими токами и напряжениями. В комплект поставки входят 3 единицы компонента в корпусе TO3.
- Максимальная мощность рассеивания 200 Вт
- Напряжение коллектор-эмиттер до 120 В
- Ток коллектора до 30 А
- Тип транзистора: NPN, Дарлингтона
- Корпус TO3 для выводного монтажа
- В комплекте 3 транзистора
Высокая мощность рассеивания
Транзистор способен рассеивать до 200 Вт мощности.
Работа с высокими параметрами
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер составляет 120 В, а ток коллектора — 30 А.
Удобный монтаж и комплектация
Компонент имеет корпус TO3 и предназначен для выводного монтажа (THT). В наборе 3 транзистора.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 120 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 30 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO3 |
Информация для заказа
- Цена: 1 870 ₴