Транзистор N-MOSFET ONSEMI MGSF2N02ELT1G, 20В, 2,8А, SOT23 (40 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI MGSF2N02ELT1G — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT23. Комплект состоит из 40 единиц, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
• Ток стока: 2,8 А
• Рассеиваемая мощность: 1,25 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Сопротивление в открытом состоянии: 85 мОм
• Количество в комплекте: 40 шт.

Основные электрические характеристики

Компонент работает с напряжением сток-исток до 20 В и выдерживает ток стока 2,8 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,25 Вт, что определяет тепловой режим работы.

Управление и сопротивление канала

Напряжение затвор-исток ограничено значением ±8 В, что указывает на допустимые пределы управляющего сигнала. Сопротивление в открытом состоянии равно 85 мОм, а общий заряд затвора составляет 3,5 нКл.

Тип канала и полярность