Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC LGE2312, SOT23, 20 В, 4,9 А (LGE2312-LGE) — набор 200 шт.

Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC LGE2312 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Корпус SOT23 обеспечивает компактность, а максимальный ток 4,9 А и напряжение 20 В определяют его рабочие пределы.

• Тип транзистора: N-MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
• Максимальный ток стока: 4,9 А
• Корпус: SOT23 для SMD монтажа
• Сопротивление в состоянии проводимости: 31 мОм
• Количество в комплекте: 200 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 20 В и выдерживает ток стока 4,9 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 31 мОм, что влияет на тепловые характеристики при нагрузке. Тип канала — обогащенный, полярность — униполярная.

Монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Такое решение подходит для автоматизированного производства печатных плат, где важна плотность размещения элементов.

Комплектация

Товар поставляется набором из 200 шт. Это удобно для серийного производства или создания запаса компонентов для ремонтных работ.