Транзистор IGBT IXYS IXYA15N65C3D1, 650 В, 15 А, TO263 (набор 10 шт.)
2 470 ₴
- В наличии
- Код: TM074685
Транзистор IGBT IXYS IXYA15N65C3D1, 650 В, 15 А, TO263 (набор 10 шт.)В наличии
2 470 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор IGBT IXYS IXYA15N65C3D1 — это полупроводниковый прибор серии GenX3™ в корпусе TO263 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 10 единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 15 А (импульсный до 80 А)
- Рассеиваемая мощность: 200 Вт
- Корпус: TO263, монтаж SMD
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 15 А. В импульсном режиме прибор выдерживает ток до 80 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 200 Вт.
Быстродействие и управление
Прибор характеризуется временем включения 36 нс и выключения 102 нс. Заряд затвора равен 19 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер составляет ±20 В.
Технология и монтаж
Использована технология GenX3™, Planar и XPT™. Корпус TO263 предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 80 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO263 |
Информация для заказа
- Цена: 2 470 ₴