
Транзистор IGBT IXYS IXXH60N65B4H1, 650 В, 60 А, TO247-3 (2 шт.)
2 740 ₴
- В наличии
- Код: TM019306
Транзистор IGBT IXYS IXXH60N65B4H1 — это полупроводниковый прибор технологии GenX4™ в корпусе TO247-3, предназначенный для работы с напряжением 650 В и током 60 А. Комплект состоит из 2 единиц, что обеспечивает удобство для серийного монтажа или замены компонентов в силовых модулях.
- Технология GenX4™ для низких потерь
- Напряжение коллектор-эмиттер 650 В
- Ток коллектора 60 А
- Рассеиваемая мощность 536 Вт
- Корпус TO247-3, монтаж THT
- Комплект: 2 шт.
Высокая мощность и эффективность
Транзистор имеет рассеиваемую мощность 536 Вт, что позволяет использовать его в мощных инверторах и источниках питания без чрезмерного нагрева. Благодаря технологии GenX4™ и структуре Trench, XPT™, прибор демонстрирует низкие потери при переключении. Это важно для систем, где критичны энергоэффективность и стабильность работы под нагрузкой.
Скорость переключения
Время включения составляет 94 нс, а время выключения — 208 нс. Такие показатели обеспечивают высокую скорость реакции транзистора, что необходимо для высокочастотных преобразователей и импульсных регуляторов. Быстрое переключение снижает динамические потери и повышает общий КПД устройства.
Надежность в экстремальных режимах
Максимальный импульсный ток коллектора достигает 265 А, что гарантирует устойчивость к кратковременным перегрузкам и пусковым токам. Напряжение коллектор-эмиттер 650 В и допустимое напряжение затвор-эмиттер ±20 В соответствуют стандартам промышленного оборудования. Это делает транзистор пригодным для работы в сложных электрических условиях.
Удобство монтажа и комплектация
Компонент выполнен в корпусе TO247-3 с типом монтажа THT (сквозной монтаж), что упрощает пайку и обеспечивает надежный механический контакт. В комплекте поставляются 2 транзистора, что позволяет сразу выполнить замену пары компонентов или собрать минимальную партию для прототипирования.
Заряд затвора и управление для стабильной работы транзистора IGBT IXYS IXXH60N65B4H1 в силовых схемах, где важна предсказуемость переключения и минимальные потери на управлении. Заряд затвора 86 нКл определяет энергию, необходимую для переключения прибора, и влияет на требования к драйверу затвора. Такое значение заряда затвора является типичным для IGBT в корпусе TO247-3 и помогает инженеру подобрать драйвер с достаточным током и скоростью. Это важно для инверторов и источников питания, где нестабильное управление затвором может привести к перегреву или некорректной работе. В сочетании с напряжением затвор-эмиттер ±20 В транзистор IGBT IXYS IXXH60N65B4H1 обеспечивает надежное управление в промышленных условиях. Транзистор IGBT IXYS IXXH60N65B4H1 подходит для инженеров и техников, которые обслуживают или разрабатывают силовую электронику, инверторы и источники питания. Его характеристики обеспечивают баланс между мощностью, скоростью и надежностью в промышленных применениях.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 536 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 265 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
- Цена: 2 740 ₴
