Транзистор IXYS IXTY1R6N50D2, N-MOSFET, 500 В, 1,6 А, TO252 (набор 10 шт.)

Транзистор IXYS IXTY1R6N50D2 — это полевой N-MOSFET транзистор в корпусе TO252 для поверхностного монтажа. Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 500 В и ток стока 1,6 А при мощности рассеивания 100 Вт.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 В
• Максимально допустимый ток стока: 1,6 А
• Максимальная мощность рассеивания: 100 Вт
• Корпус: TO252 (поверхностный монтаж)
• В комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 500 В, а напряжение затвор-исток ограничено 20 В. Максимальный ток стока равен 1,6 А, что определяет рабочий диапазон устройства. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 2300 мОм. Время включения транзистора — 400 нс.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO252, что предполагает поверхностный тип монтажа.

Дополнительные характеристики и комплектация

В наборе поставляется 10 транзисторов IXYS IXTY1R6N50D2.