Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY1R6N100D2, 1 кВ, 1,6 А, 100 Вт, TO252 (5 шт.)
2 230 ₴
- В наличии
- Код: TM074684
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY1R6N100D2, 1 кВ, 1,6 А, 100 Вт, TO252 (5 шт.)В наличии
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY1R6N100D2 — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 5 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 1 кВ
- Ток стока: 1,6 А
- Рассеиваемая мощность: 100 Вт
- Корпус: TO252, монтаж SMD
- Время готовности: 11 нс
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Прибор имеет напряжение сток-исток 1 кВ и ток стока 1,6 А. Рассеиваемая мощность составляет 100 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 10 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO252. Предназначен для SMD-монтажа на поверхность печатной платы.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 100 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 1000 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 11 нс |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO252 |
Информация для заказа
- Цена: 2 230 ₴