Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY08N100D2, 1 кВ, 0,8 А, TO252 — набор 5 шт.
2 520 ₴
- В наличии
- Код: TM035941
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY08N100D2, 1 кВ, 0,8 А, TO252 — набор 5 шт.В наличии
2 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY08N100D2 — это униполярный компонент в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD).## Комплектация
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 1 кВ
- Ток стока: 0,8 А
- Рассеиваемая мощность: 60 Вт
- Корпус: TO252, монтаж SMD
- Комплектация: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток 1 кВ и ток стока 0,8 А. Рассеиваемая мощность составляет 60 Вт, а заряд затвора — 325 нКл. Сопротивление в состоянии проводимости равно 21 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO252, монтаж SMD. Канал транзистора обедненного типа.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 60 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 1000 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.8 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO252 |
Информация для заказа
- Цена: 2 520 ₴