Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY01N100, 1 кВ, 0,1 А, TO252, набор 20 шт.

Набор из 20 транзисторов IXYS IXTY01N100 типа N-MOSFET в корпусе TO252. Компоненты предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и рассчитаны на напряжение 1 кВ и ток 0,1 А.

• Тип: N-MOSFET, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 1 кВ
• Ток стока: 0,1 А
• Рассеиваемая мощность: 25 Вт
• Корпус: TO252, монтаж SMD
• Количество в наборе: 20 шт.

Высокое напряжение и надежность

Транзисторы выдерживают напряжение сток-исток до 1 кВ, что позволяет использовать их в высоковольтных схемах. Максимальный ток стока составляет 0,1 А, а рассеиваемая мощность — 25 Вт. Это обеспечивает стабильную работу устройств в сложных электрических условиях.

Удобный монтаж SMD

Компоненты выполнены в корпусе TO252, который является стандартом для поверхностного монтажа (SMD). Такой формат позволяет автоматизировать процесс пайки и экономить место на печатных платах. Транзисторы имеют канал обогащения.

Комплект для серийного производства

В упаковке находится 20 единиц товара, что удобно для небольших партий или прототипирования. Стандартные характеристики MOSFET гарантируют предсказуемое поведение в типовых применениях. Это решение для инженеров, которым нужны надежные компоненты с известными параметрами. Стандартные характеристики MOSFET гарантируют предсказуемое поведение в типовых применениях. Транзисторы имеют сопротивление в открытом состоянии 80 Ом, что влияет на эффективность работы в открытом состоянии. Полярность транзистора — униполярная, что соответствует классической схеме MOSFET. Производитель IXYS обеспечивает стабильность характеристик партии.