Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT8P50, -500В, -8А, 180Вт, TO268 (набор 3 шт.)

Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT8P50 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель рассчитана на высокое напряжение до -500 В и ток до -8 А. В комплект входят 3 транзистора в корпусе TO268.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: -500 В
• Максимальный ток стока: -8 А
• Мощность рассеивания: 180 Вт
• Корпус: TO268, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 3 шт.

Электрические параметры и напряжение затвора

Транзистор имеет максимальное напряжение между стоком и истоком -500 В и максимальный ток стока -8 А. Мощность рассеивания составляет 180 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,2 Ом, а заряд затвора — 130 нКл. Максимальное напряжение между затвором и истоком составляет ±20 В.

Корпус, монтаж и быстродействие

Прибор выполнен в корпусе TO268 для поверхностного монтажа (SMD). Время переключения (switching time) составляет 400 нс. Прибор является униполярным с каналом обогащения.

Комплектация

В наборе поставляются 3 транзистора IXYS IXTT8P50.