Транзистор P-MOSFET IXYS IXTR210P10T, -100В, -195А, ISOPLUS247
3 100 ₴
- В наличии
- Код: TM019298
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTR210P10T, -100В, -195А, ISOPLUS247В наличии
3 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-MOSFET транзистор IXYS IXTR210P10T в корпусе ISOPLUS247™ с номинальным напряжением -100 В и током -195 А. Компонент имеет низкое сопротивление в открытом состоянии 8 мОм и изготовлен по технологии TrenchP™.
- Ток стока -195 А
- Напряжение сток-исток -100 В
- Рассеиваемая мощность 390 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 8 мОм
- Корпус ISOPLUS247™ с монтажом THT
- Технология TrenchP™
Рассеиваемая мощность
Транзистор способен рассеивать мощность 390 Вт, что указывает на высокую рассеиваемую мощность.
Время готовности
Время готовности составляет 200 нс. Эта характеристика определяет скорость переключения транзистора.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе ISOPLUS247™ с типом монтажа THT. Это тип монтажа через отверстия. Напряжение затвор-исток составляет ±15 В, а заряд затвора — 740 нКл. Транзистор является униполярным с обогащенным каналом.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 390 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 200 нс |
| Корпус | ISOPLUS247™ |
| Технология | TrenchP™ |
Информация для заказа
- Цена: 3 100 ₴