Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ76N25T, 250В, 76А, TO3P — набор 3 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ76N25T — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 250 В и ток 76 А. Товар поставляется комплектом из 3 штук в корпусе TO3P для монтажа на плату.

• Ток стока 76 А
• Напряжение сток-исток 250 В
• Мощность рассеивания 460 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 44 мОм
• Корпус TO3P для монтажа THT
• Комплект из 3 транзисторов

Электрические параметры

Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 250 В и постоянный ток стока 76 А. Мощность рассеивания составляет 460 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 44 мОм, а заряд затвора — 92 нКл.

Время переключения и монтаж

Время готовности транзистора составляет 148 нс. Корпус TO3P предназначен для выводного монтажа (THT) на печатную плату. Это униполярный прибор типа N-MOSFET с технологией trench gate power mosfet. Канал транзистора является обогащаемым. Заряд затвора составляет 92 нКл, а сопротивление в открытом состоянии — 44 мОм.