Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP60N10T, 100В, 60А, TO220AB, набор 10 шт.

Набор из 10 транзисторов IXYS IXTP60N10T типа N-MOSFET в корпусе TO220AB. Эти полупроводниковые компоненты предназначены для силовых электронных схем, где требуется коммутация тока до 60 А при напряжении 100 В.

• Набор из 10 транзисторов IXYS IXTP60N10T
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 60 А
• Рассеиваемая мощность: 176 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 18 мОм
• Время включения: 59 нс
• Корпус TO220AB для монтажа в отверстия (THT)

Мощность и ток

Транзисторы выдерживают напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 60 А. Рассеиваемая мощность составляет 176 Вт, что позволяет использовать их в силовых преобразователях и импульсных источниках питания без чрезмерного нагрева.

Скорость переключения

Время включения (turn-on time) составляет 59 нс, что обеспечивает быстрое открывание транзистора. Такая характеристика важна для высокочастотных схем, где минимизация потерь на переключение повышает общий КПД устройства.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 18 мОм. Низкое значение сопротивления снижает тепловые потери на компоненте при прохождении больших токов, что упрощает систему охлаждения.

Заряд и управление

Заряд затвора составляет 49 нКл. Этот параметр определяет скорость заряда и разряда затвора, влияя на динамические характеристики переключения и требования к драйверу затвора.

Монтаж и корпус

Компоненты выполнены в стандартном корпусе TO220AB для монтажа в отверстия (THT). Такой формат удобен для ручной пайки и замены на печатных платах, а также позволяет легко крепить радиаторы.

Комплектация

В наборе поставляется 10 транзисторов IXYS IXTP60N10T. Это удобно для серийного производства или создания прототипов, где нужно несколько одинаковых компонентов.