Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP3N50D2, 500В, 3А, TO220AB — набор 5 шт.

Транзистор IXYS IXTP3N50D2 — это N-MOSFET с каналом обеднения, рассчитанный на напряжение 500 В и ток 3 А. Товар поставляется набором из 5 штук в корпусе TO220AB для монтажа в отверстия (THT).

• Тип: N-MOSFET с каналом обеднения
• Напряжение сток-исток: 500 В
• Ток стока: 3 А
• Мощность рассеивания: 125 Вт
• Корпус: TO220AB (монтаж THT)
• Время включения: 24 нс
• Сопротивление в состоянии проводимости: 1,5 Ом
• Количество в наборе: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 500 В и постоянный ток стока 3 А. Мощность рассеивания составляет 125 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости — 1,5 Ом. Заряд затвора равен 1,07 мкКл, что определяет скорость переключения.

Время переключения и монтаж

Время включения транзистора составляет 24 нс, что обеспечивает быстрое открытие и закрытие канала. Корпус TO220AB предназначен для монтажа в отверстия (THT).

Комплектация

В комплекте поставляется 5 транзисторов IXYS IXTP3N50D2.