Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP1R6N100D2, 1 кВ, 1,6 А, TO220AB — набор 5 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP1R6N100D2 — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB для монтажа на плату. Он рассчитан на напряжение 1 кВ и ток 1,6 А, что делает его пригодным для высоковольтных схем.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, обедненный канал
• Максимальное напряжение сток-исток: 1 кВ
• Ток стока: 1,6 А
• Рассеиваемая мощность: 100 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Время готовности: 11 нс
• Напряжение затвор-исток: ±20 В
• Сопротивление в состоянии проводимости: 10 Ом

Высоковольтные характеристики

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 1 кВ и напряжение затвор-исток ±20 В. Это позволяет использовать его в цепях с повышенным напряжением. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 10 Ом, что определяет тепловые потери при работе.

Электрические параметры и монтаж

Прибор является униполярным N-MOSFET с обедненным каналом. Время готовности (переключения) составляет 11 нс, что характеризует быстродействие транзистора. Монтаж выполняется методом THT (сквозь отверстия), а корпус TO220AB является стандартным для этого типа транзисторов.

Комплектация

Товар поставляется набором из 5 транзисторов.