Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP160N10T, 100В, 160А, TO220AB, комплект 5 шт.
2 520 ₴
- В наличии
- Код: TM035938
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP160N10T, 100В, 160А, TO220AB, комплект 5 шт.В наличии
2 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP160N10T — это полупроводниковый прибор с технологией Trench™, работающий при напряжении 100 В и токе 160 А. Товар поставляется комплектом из 5 штук в корпусе TO220AB для монтажа на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET с технологией Trench™
- Напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 160 А
- Рассеиваемая мощность: 430 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 7 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплект: 5 штук
Основные параметры
Прибор имеет напряжение сток-исток 100 В и максимальный ток стока 160 А. Рассеиваемая мощность составляет 430 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 7 мОм. Заряд затвора составляет 132 нКл.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе TO220AB с выводами для установки на печатную плату (THT).
Электрические параметры
Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Время включения прибора равно 60 нс. Канал транзистора — встроенный (обогащенный).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 430 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 160 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 60 нс |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 520 ₴