Транзистор N-MOSFET IXYS IXTK120N25P, 250В, 120А, TO264 — набор 2 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTK120N25P — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 250 В и ток 120 А. Товар поставляется комплектом из 2 штук в корпусе TO264 для монтажа на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 250 В
• Максимальный ток стока: 120 А
• Рассеиваемая мощность: 700 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 24 мОм
• Корпус: TO264, монтаж THT
• Количество в комплекте: 2 шт.

Технические параметры

Прибор работает с напряжением сток-исток 250 В и выдерживает напряжение затвор-исток ±20 В. Максимальный ток стока (Drain Current) составляет 120 А, а рассеиваемая мощность — 700 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 24 мОм.

Корпус и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO264, предназначенном для монтажа через отверстия (THT).

Комплектация

В наборе находятся 2 транзистора IXYS IXTK120N25P. Заряд затвора составляет 185 нКл, а время готовности — 200 нс. Прибор изготовлен по технологии Polar™ и является униполярным.