Транзистор N-MOSFET IXYS IXTH20N65X, 650В, 20А, TO247-3 — набор 3 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTH20N65X — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель характеризуется рабочим напряжением 650 В и током стока 20 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
• Ток стока: 20 А
• Рассеиваемая мощность: 320 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,21 Ом
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Комплект: 3 шт.

Электрические характеристики

Транзистор имеет максимальную рассеиваемую мощность 320 Вт и сопротивление в открытом состоянии 0,21 Ом. Заряд затвора составляет 35 нКл, а время восстановления — 0,35 мкс.

Корпус и монтаж

Прибор выполнен в корпусе TO247-3 с монтажом THT (навесной монтаж). Технология Ultra Junction X-Class определяет специфику работы полупроводника. Полярность транзистора — униполярная. Товар поставляется в виде набора, содержащего 3 транзистора.