Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA8N65X2, 650В, 8А, TO263 (набор 10 шт.)
1 950 ₴
- В наличии
- Код: TM074659
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA8N65X2, 650В, 8А, TO263 (набор 10 шт.)В наличии
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA8N65X2 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения. В комплекте 10 единиц в корпусе TO263 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 8 А
- Рассеиваемая мощность: 150 Вт
- Корпус: TO263 (монтаж SMD)
- Набор: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 650 В и ток стока 8 А. Рассеиваемая мощность составляет 150 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,5 Ом, а заряд затвора — 12 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO263. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж). Время включения (готовность к работе) составляет 200 нс.
Комплектация
В наборе 10 транзисторов IXYS IXTA8N65X2.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 200 нс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO263 |
Информация для заказа
- Цена: 1 950 ₴