
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA80N075L2, 75 В, 80 А, TO263 — набор 2 шт.
2 710 ₴
- В наличии
- Код: TM019288
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA80N075L2 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в линейных силовых схемах. Модель обеспечивает ток стока 80 А при напряжении сток-исток 75 В и рассеивает мощность до 357 Вт.
- Ток стока 80 А для мощных силовых схем
- Напряжение сток-исток 75 В
- Рассеиваемая мощность 357 Вт
- Корпус TO263 с монтажом SMD
- Время готовности 160 нс
- Сопротивление в открытом состоянии 24 мОм
- Набор из 2 транзисторов
Высокая токовая нагрузка
Транзистор способен пропускать ток стока 80 А, что позволяет использовать его в мощных силовых модулях. Такая характеристика важна для устройств, где требуется стабильная работа под значительной нагрузкой без перегрева.
Эффективное рассеивание тепла
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 357 Вт, что требует качественного отвода тепла от корпуса. Это позволяет компоненту выдерживать высокие энергетические нагрузки в промышленных применениях.
Быстрая коммутация
Время готовности транзистора равно 160 нс, что обеспечивает быстрое переключение состояний. Низкий заряд затвора 103 нК упрощает управление и снижает потери при коммутации.
Удобный монтаж SMD
Компонент выполнен в корпусе TO263 с типом монтажа SMD, что упрощает автоматизированное производство плат. Низкое сопротивление в открытом состоянии 24 мОм минимизирует потери энергии на нагрев.
Комплектация
Товар поставляется набором из 2 шт., что удобно для прототипирования или ремонта оборудования.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 357 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 75 В |
| Максимально допустимый ток стока | 80 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 24 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 160 нс |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO263 |
- Цена: 2 710 ₴
