Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA6N50D2, 500В, 6А, 300Вт, TO263 — набор 2 шт.
1 860 ₴
- В наличии
- Код: TM074658
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA6N50D2, 500В, 6А, 300Вт, TO263 — набор 2 шт.В наличии
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA6N50D2 — это полупроводниковый прибор с каналом типа N, рассчитанный на высокое напряжение и ток. Компонент выполнен в корпусе TO263 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется в комплекте из двух штук.
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 В
- Максимально допустимый ток стока: 6 А
- Максимальная мощность рассеивания: 300 Вт
- Корпус TO263 для монтажа SMD
- Время переключения: 64 нс
- В комплекте 2 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 500 В. Максимально допустимый ток стока равен 6 А, а максимальная мощность рассеивания — 300 Вт. Время переключения (switching time) составляет 64 нс, что определяет скорость переключения прибора.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO263. Тип монтажа SMD (Surface Mount Device) предполагает установку непосредственно на поверхность печатной платы без сверления отверстий.
Комплектация
В наборе поставляется 2 транзистора IXYS IXTA6N50D2.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 64 нс |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO263 |
Информация для заказа
- Цена: 1 860 ₴