Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA180N10T, 100В, 180А, TO263 — набор 3 шт.

Транзистор IXYS IXTA180N10T — это силовой N-MOSFET в корпусе TO263 для поверхностного монтажа (SMD). Устройство рассчитано на напряжение 100 В и ток 180 А.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 180 А
• Рассеиваемая мощность: 480 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 6,4 мОм
• Корпус: TO263, монтаж SMD
• Время переключения: 72 нс
• Заряд затвора: 151 нКл

Электрические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток 100 В и максимальный ток стока 180 А. Рассеиваемая мощность составляет 480 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 6,4 мОм. Время переключения (switching time) равно 72 нс, что определяет скорость переключения устройства.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO263 с типом монтажа SMD. Заряд затвора составляет 151 нКл.

Комплектация

Внимание: товар поставляется набором из 3 шт. Транзистор является униполярным с каналом обогащения (enhancement mode). Это полупроводниковый прибор типа trench gate power MOSFET.