Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA08N100D2, 1 кВ, 0,8 А, TO263 (5 шт.)

Транзистор IXYS IXTA08N100D2 — это униполярный N-MOSFET с каналом обеднения, рассчитанный на напряжение 1 кВ и ток 0,8 А. Компонент выполнен в корпусе TO263 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется набором из 5 штук.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обеднения
• Максимальное напряжение сток-исток: 1 кВ
• Ток стока: 0,8 А
• Мощность рассеивания: 60 Вт
• Корпус: TO263, монтаж SMD
• Заряд затвора: 325 нКл
• Сопротивление в открытом состоянии: 21 Ом
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 1 кВ и выдерживает ток стока 0,8 А. Мощность рассеивания составляет 60 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Заряд затвора равен 325 нКл, а сопротивление в открытом состоянии — 21 Ом.

Корпус и монтаж

Компонент изготовлен в корпусе TO263, предназначенном для технологии поверхностного монтажа (SMD). Такое исполнение позволяет размещать транзистор непосредственно на печатной плате без сверления отверстий.

Комплектация

Товар поставляется как набор, содержащий 5 транзисторов IXYS IXTA08N100D2.