Транзистор N-MOSFET IXYS IXFY8N65X2, 650В, 8А, TO252, набор 30 шт.
2 180 ₴
- В наличии
- Код: TM035929
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFY8N65X2, 650В, 8А, TO252, набор 30 шт.В наличии
2 180 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 30 транзисторов IXFY8N65X2 от производителя IXYS. Это N-MOSFET транзисторы с каналом обогащения, рассчитанные на напряжение 650 В и ток 8 А. Компоненты изготовлены по технологии HiPerFET™ X2-Class в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD).
- Напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 8 А
- Рассеиваемая мощность: 150 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,45 Ом
- Корпус: TO252 (SMD)
- Количество в наборе: 30 шт.
Напряжение и ток
Транзисторы имеют напряжение сток-исток 650 В и максимальный ток стока 8 А. Допустимое напряжение затвор-исток составляет ±30 В.
Технология и тип
Транзисторы изготовлены по технологии HiPerFET™ X2-Class. Это N-MOSFET с каналом обогащения и униполярной поляризацией.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 105 нс |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | TO252 |
Информация для заказа
- Цена: 2 180 ₴