Транзистор N-MOSFET IXYS IXFT60N65X2HV, 650В, 60А, TO268 — набор 2 шт.
1 980 ₴
- В наличии
- Код: TM074646
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFT60N65X2HV, 650В, 60А, TO268 — набор 2 шт.В наличии
1 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXFT60N65X2HV от бренда IXYS — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO268 для работы с напряжением до 650 В и током до 60 А. Комплект состоит из 2 шт.
- Напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 60 А
- Рассеиваемая мощность: 780 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 52 мОм
- Время восстановления: 180 нс
- Корпус: TO268, монтаж SMD
- Комплектация: 2 шт.
Рассеиваемая мощность
Прибор имеет рассеиваемую мощность 780 Вт.
Время восстановления и сопротивление
Время восстановления транзистора составляет 180 нс. Сопротивление в открытом состоянии равно 52 мОм.
Монтаж и технология
Транзистор предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе TO268. Используется технология HiPerFET™ и класс X2. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В. Заряд затвора равен 108 нКл. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 780 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 60 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 52 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 180 нс |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO268 |
Информация для заказа
- Цена: 1 980 ₴