Транзистор N-MOSFET IXYS IXFT50N60X, 600В, 50А, TO268 — набор 2 шт.
2 410 ₴
- В наличии
- Код: TM074645
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFT50N60X, 600В, 50А, TO268 — набор 2 шт.В наличии
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXFT50N60X от производителя IXYS — это полупроводниковый прибор с обогащенным каналом, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 50 А. Компонент выполнен в корпусе TO268 для поверхностного монтажа (SMD) и имеет время включения 195 нс.
- Тип транзистора: N-MOSFET с обогащенным каналом
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 50 А
- Мощность рассеивания: 660 Вт
- Корпус: TO268, монтаж SMD
- Время включения: 195 нс
- Сопротивление в открытом состоянии: 73 мОм
- Комплектация: 2 шт.
Электрические характеристики
Транзистор работает с напряжением сток-исток 600 В и выдерживает ток стока 50 А. Мощность рассеивания составляет 660 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 73 мОм. Заряд затвора равен 116 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе TO268. Время включения (turn-on time) составляет 195 нс. В комплекте поставляется 2 шт. транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 660 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 50 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 73 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 195 нс |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO268 |
Информация для заказа
- Цена: 2 410 ₴