Транзистор IXYS IXFT120N15P — это силовой N-MOSFET в корпусе TO268, предназначенный для работы с напряжением до 150 В и током до 120 А. Комплект состоит из 2 единиц.
- Ток стока: 120 А
- Напряжение сток-исток: 150 В
- Рассеиваемая мощность: 600 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 16 мОм
- Время включения: 200 нс
- Корпус: TO268 (SMD)
- Комплектация: 2 шт.
Мощность и ток
Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 120 А и рассеивание мощности до 600 Вт. Номинальное напряжение сток-исток составляет 150 В, что определяет верхнюю границу рабочего напряжения.
Скорость и сопротивление
Время включения (turn-on time) равно 200 нс. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 16 мОм. Заряд затвора — 150 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологиям HiPerFET™ и PolarHT™. Монтаж выполняется методом SMD (поверхностный монтаж) в корпусе TO268. Тип канала — обогащенный (enhancement mode), полярность — униполярная. Заряд затвора составляет 150 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В. Номинальное напряжение сток-исток — 150 В, постоянный ток стока — 120 А.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 600 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 200 нс |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO268 |
| Технология | HiPerFET™, PolarHT™ |
- Цена: 1 990 ₴

