Транзистор N-MOSFET IXYS IXFR32N100Q3, 1 кВ, 23 А, ISOPLUS247™

Транзистор N-MOSFET IXYS IXFR32N100Q3 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в высоковольтных электронных схемах. Модель сочетает рабочее напряжение 1 кВ и ток 23 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 1 кВ
• Ток стока: 23 А
• Рассеиваемая мощность: 570 Вт
• Корпус: ISOPLUS247™, монтаж THT
• Заряд затвора: 195 нКл

Высоковольтная стойкость

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1 кВ, что позволяет использовать его в сетях с повышенным напряжением.

Эффективное управление током

Прибор выдерживает постоянный ток стока 23 А, что делает его пригодным для силовых ключей в мощных устройствах. Номинальная рассеиваемая мощность 570 Вт требует качественного отвода тепла.

Удобный монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе ISOPLUS247™ с технологией монтажа THT (сквозные отверстия).

Технические параметры управления

Заряд затвора составляет 195 нКл. Сопротивление в состоянии проводимости 0,35 Ом.