Транзистор N-MOSFET IXYS IXFQ50N60P3 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении до 600 В. Комплект состоит из двух единиц в корпусе TO3P с выводами для монтажа на плату (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 50 А
- Рассеиваемая мощность: 1040 Вт
- Корпус: TO3P, монтаж THT
- Комплектация: 2 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет номинальный ток стока 50 А и рассеиваемую мощность 1040 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,16 Ом, а заряд затвора — 94 нКл.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в корпусе TO3P. Монтаж осуществляется методом THT (сквозь отверстия). В комплекте поставляется 2 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 1040 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 50 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 160 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO3P |
Информация для заказа
- Цена: 2 020 ₴

