Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP8N65X2, 650 В, 8 А, TO220AB — набор 10 шт.

Транзистор IXYS IXFP8N65X2 — это N-канальный MOSFET с технологией HiPerFET™ и классом X2, предназначенный для работы с напряжением до 650 В и током 8 А. Прибор выполнен в корпусе TO220AB для монтажа на плату (THT) и поставляется набором из 10 штук.

• Тип: N-MOSFET, класс X2, технология HiPerFET™
• Напряжение сток-исток: 650 В
• Ток стока: 8 А
• Мощность рассеивания: 150 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Комплектация: 10 шт.

Основные электрические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток 650 В и максимальный ток стока 8 А, что определяет его рабочий диапазон. Мощность рассеивания составляет 150 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.

Скорость переключения и сопротивление

Время задержки транзистора составляет 105 нс. Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,45 Ом, а заряд затвора — 11 нКл.

Монтаж и комплектация

Компонент предназначен для выводного монтажа (THT) в корпусе TO220AB. Товар поставляется как набор из 10 транзисторов.