Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор IXYS IXFN44N100Q3, 1 кВ, 38 А, SOT227B

5 430 ₴

  • В наличии
  • Код: TM019267
Транзистор IXYS IXFN44N100Q3, 1 кВ, 38 А, SOT227B
Транзистор IXYS IXFN44N100Q3, 1 кВ, 38 А, SOT227BВ наличии
5 430 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

IXFN44N100Q3 — это силовой MOSFET-транзистор от производителя IXYS, разработанный для работы в высоковольтных электронных схемах. Прибор выполнен в корпусе SOT227B с винтовым креплением, что обеспечивает надежный отвод тепла и стабильную работу в промышленных условиях.

  • Напряжение сток-исток 1 кВ для высоковольтных применений
  • Постоянный ток стока 38 А и импульсный до 110 А
  • Мощность рассеяния 960 Вт при креплении под винт
  • Корпус SOT227B для эффективного отвода тепла
  • Время включения 300 нс для быстрого переключения
  • Сопротивление в состоянии проводности 0,22 Ом для снижения потерь

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1 кВ и постоянный ток стока 38 А. Это позволяет использовать компонент в мощных инверторах и источниках питания, где требуется работа с высокими параметрами без риска пробоя. В импульсном режиме устройство выдерживает пиковый ток до 110 А, что важно для запуска двигателей или зарядки конденсаторов.

Эффективный отвод тепла

Модуль имеет мощность рассеяния 960 Вт, что требует качественного охлаждения. Механическое и электрическое крепление под винт (винтовой монтаж) гарантирует плотный контакт с радиатором. Такая конструкция минимизирует тепловое сопротивление и предотвращает перегрев при длительных нагрузках.

Быстрая работа и низкие потери

Время включения (turn-on time) составляет 300 нс, что обеспечивает быстрое переключение и снижает динамические потери. Сопротивление в состоянии проводности равно 0,22 Ом, что уменьшает нагрев при протекании тока. Заряд затвора 264 нК указывает на необходимость достаточно мощного драйвера для быстрого управления.

Структура и тип канала

Компонент изготовлен по технологии HiPerFET™ Q3-Class, которая сочетает высокую скорость с надежностью. Это однополярный (unipolar) транзистор с каналом обогащения (enhancement mode), что упрощает схемы управления. Максимальное напряжение затвор-исток ±40 В определяет границы безопасной эксплуатации драйвера. Структура полупроводника — одиночный транзистор, что обеспечивает простоту монтажа и обслуживания.

Характеристики
Основные
ПроизводительIXYS
Максимальная мощность рассеивания960 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток40 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток1000 В
Максимально допустимый ток стока38 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)220 mOm
Пользовательские характеристики
Время готовности300 нс
КорпусSOT227B
Информация для заказа
  • Цена: 5 430 ₴