Транзистор IXYS IXFN26N120P, 1200 В, 23 А, корпус SOT227B

IXFN26N120P — это силовой MOSFET-транзистор от производителя IXYS, предназначенный для работы в высоковольтных электронных схемах. Устройство выполнено в корпусе SOT227B с креплением под винт, что обеспечивает надежный контакт с радиатором.

• Напряжение сток-исток: 1,2 кВ
• Постоянный ток стока: 23 А
• Мощность рассеивания: 695 Вт
• Корпус SOT227B с креплением под винт
• Время готовности: 300 нс
• Технологии HiPerFET™ и Polar™

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1,2 кВ и постоянный ток стока 23 А. Это позволяет использовать компонент в промышленных инверторах и источниках питания с высокими требованиями к изоляции. Импульсный ток стока может достигать 60 А, что важно для пусковых режимов оборудования.

Эффективный отвод тепла

Модуль имеет мощность рассеивания 695 Вт, что требует качественного охлаждения. Механическое и электрическое крепление выполнено под винт (прикручиваемый тип), что гарантирует стабильный тепловой контакт с радиатором. Такая конструкция минимизирует термическое сопротивление в месте крепления.

Быстрая работа и низкие потери

Время готовности транзистора составляет 300 нс, что обеспечивает быстрое переключение в высокочастотных схемах. Сопротивление в состоянии проводности равно 0,5 Ом, что снижает потери мощности во время работы.

Управление и параметры затвора

Заряд затвора составляет 255 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±40 В. Эти параметры определяют требования к драйверу управления и позволяют точно настроить режим работы транзистора в электронных модулях.