Транзистор IXYS IXFN180N25T, 250V, 168A, SOT227B

IXFN180N25T — это силовой MOSFET-модуль от производителя IXYS, разработанный для высокопроизводительных электронных систем. Устройство обеспечивает стабильную работу при токе 168 А и напряжении 250 В, предназначено для применения в силовых электронных схемах.

• Ток стока 168 А и напряжение 250 В для мощных систем
• Технология GigaMOS™ для высокой эффективности
• Рассеиваемая мощность 900 Вт
• Импульсный ток до 500 А
• Корпус SOT227B с винтовым монтажом
• Время готовности 200 нс

Высокая эффективность и надежность

Модуль изготовлен по технологии GigaMOS™, что гарантирует низкие потери энергии и высокую скорость переключения. Время готовности составляет 200 нс, что позволяет использовать компонент в схемах с высокочастотным управлением. Номинальный ток стока 168 А и напряжение сток-исток 250 В подтверждают способность модуля работать в сложных условиях нагрузки.

Мощность и тепловой режим

Компонент способен рассеивать мощность до 900 Вт, что критически важно для стабильной работы силовых каскадов. Импульсный ток стока может достигать 500 А, что обеспечивает запас прочности при кратковременных пиковых нагрузках. Низкое сопротивление в состоянии проводимости 12,9 мОм минимизирует нагрев во время работы. Тип модуля — транзисторный MOSFET.

Конструкция и монтаж

Модуль выполнен в корпусе SOT227B с винтовым (прикручиваемым) типом монтажа, что упрощает установку на радиаторы и шасси. Структура модуля — одиночный транзистор, полярность — однополярная, что упрощает схемотехническое проектирование. Напряжение затвор-исток ±30 В и заряд затвора 364 нКл определяют параметры управляющих сигналов для драйверов. Канал транзистора — обогащенный (enhancement mode).