Транзистор N-MOSFET IXYS IXFJ20N85X, 850 В, 9,5 А, ISO247 — набор 2 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXFJ20N85X — это полупроводниковый прибор с обогащенным каналом, рассчитанный на напряжение 850 В и ток 9,5 А. Комплект состоит из 2 шт. в корпусе ISO247™ для монтажа на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET с обогащенным каналом
• Напряжение сток-исток: 850 В
• Ток стока: 9,5 А (импульсный до 50 А)
• Корпус: ISO247™, монтаж THT
• Комплектация: 2 шт.
• Технология: HiPerFET™, X-Class

Высокое напряжение и ток

Прибор работает с напряжением сток-исток 850 В и постоянным током стока 9,5 А. Импульсный ток может достигать 50 А.

Технология X-Class

Использование технологии HiPerFET™ и серии X-Class обеспечивает свойства ultra junction.

Электрические параметры

Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,36 Ом. Заряд затвора равен 63 нКл, а время готовности — 190 нс. Максимальная рассеиваемая мощность — 110 Вт.

Монтаж и корпус

Транзистор выполнен в корпусе ISO247™ для монтажа в отверстия печатных плат (THT). Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В. Поляризация транзистора — униполярная.