Транзистор N-MOSFET IXYS IXFH50N30Q3, 300В, 50А, TO247-3 — набор 2 шт.

Транзистор IXYS IXFH50N30Q3 — это N-MOSFET в корпусе TO247-3 с номинальным током 50 А и напряжением 300 В. Прибор изготовлен по технологии HiPerFET™ и имеет сопротивление в открытом состоянии 80 мОм.

• Ток стока 50 А
• Напряжение сток-исток 300 В
• Рассеиваемая мощность 690 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 80 мОм
• Корпус TO247-3, монтаж THT
• Технология HiPerFET™

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток 300 В и выдерживает постоянный ток стока 50 А. Рассеиваемая мощность составляет 690 Вт. Заряд затвора равен 65 нКл, а максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии составляет 80 мОм.

Корпус и технология

Время переключения транзистора составляет 250 нс. Монтаж выполняется методом THT в корпусе TO247-3. Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Прибор изготовлен по технологии HiPerFET™. Время переключения транзистора составляет 250 нс.