Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA16N50P3, 500 В, 16 А, TO263 (набор 10 шт.)
2 390 ₴
- В наличии
- Код: TM074599
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA16N50P3, 500 В, 16 А, TO263 (набор 10 шт.)В наличии
2 390 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA16N50P3 — это униполярный полевой транзистор с обогащённым каналом, разработанный для работы с напряжением до 500 В и током до 16 А. Прибор изготовлен по технологии HiPerFET™ и Polar3™ в корпусе TO263 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET с униполярным обогащённым каналом
- Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
- Ток стока: 16 А
- Рассеиваемая мощность: 330 Вт
- Корпус: TO263 для SMD-монтажа
- Комплект: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 500 В и постоянный ток стока 16 А. Рассеиваемая мощность составляет 330 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,36 Ом, а заряд затвора — 29 нКл.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе TO263 (D2PAK) для технологии поверхностного монтажа (SMD).
Комплект поставки
Товар поставляется набором из 10 транзисторов. Время включения (turn-on time) составляет 250 нс. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±30 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 330 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 16 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 360 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 250 нс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO263 |
Информация для заказа
- Цена: 2 390 ₴