Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA10N80P, 800В, 10А, TO263 — набор 5 шт.
2 670 ₴
- В наличии
- Код: TM019248
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA10N80P, 800В, 10А, TO263 — набор 5 шт.В наличии
2 670 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA10N80P — это силовой полупроводниковый прибор для высоковольтных схем. Модель относится к сериям Polar™ и HiPerFET™, что обеспечивает стабильную работу в условиях высоких нагрузок.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Напряжение сток-исток: 800 В
- Ток стока: 10 А
- Рассеиваемая мощность: 300 Вт
- Корпус: TO263 (SMD)
- Технология: HiPerFET™, Polar™
Высоковольтная стойкость
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 800 В. Прибор предназначен для работы в высоковольтных электронных схемах. Заряд затвора составляет 40 нКл.
Мощность и ток
Прибор выдерживает постоянный ток стока 10 А и имеет рассеиваемую мощность 300 Вт. Прибор подходит для применения в силовых электронных устройствах.
Технология и монтаж
Транзистор использует технологии HiPerFET™ и Polar™. Корпус TO263 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Канал транзистора является обогащенного типа (unipolar).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 10 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO263 |
Информация для заказа
- Цена: 2 670 ₴