Транзистор IGBT IXYS IXBX75N170A, 1,7 кВ, 65 А, корпус PLUS247™
2 350 ₴
- В наличии
- Код: TM035911
Транзистор IGBT IXYS IXBX75N170A, 1,7 кВ, 65 А, корпус PLUS247™В наличии
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор IGBT IXBX75N170A от производителя IXYS — это полупроводниковый прибор технологии BiMOSFET™ в корпусе PLUS247™. Обладает свойствами высоковольтного полупроводникового элемента.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 1,7 кВ
- Ток коллектора: 65 А (импульсный до 300 А)
- Технология: BiMOSFET™
- Корпус: PLUS247™, монтаж THT
- Рассеиваемая мощность: 1,04 кВт
- Время включения: 65 нс
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 1,7 кВ и постоянный ток коллектора 65 А. Импульсный ток коллектора составляет 300 А.
Быстрая коммутация
Время включения составляет 65 нс, а время выключения — 595 нс. Заряд затвора составляет 358 нК.
Тепловые характеристики
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,04 кВт.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе PLUS247™ с типом монтажа THT (сквозной монтаж). Тип монтажа: THT.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 1040 Вт |
| Максимально допустимый ток коллектора | 300 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | PLUS247™ |
| Технология | BiMOSFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 350 ₴