Транзистор IGBT IXYS IXBT6N170, 1,7 кВ, 6 А, D3PAK (2 шт.)

Транзистор IGBT IXYS IXBT6N170 — это высоковольтный компонент технологии BiMOSFET™ в корпусе D3PAK для монтажа SMD. Комплект состоит из 2 штук, что обеспечивает номинальный ток коллектора 6 А при напряжении 1,7 кВ.

• Напряжение коллектор-эмиттер 1,7 кВ
• Номинальный ток коллектора 6 А
• Импульсный ток до 36 А
• Мощность рассеивания 75 Вт
• Корпус D3PAK для SMD монтажа
• Комплект из 2 транзисторов

Высоковольтная работа

Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 1,7 кВ, что позволяет использовать его в высоковольтных схемах. Максимальный импульсный ток коллектора составляет 36 А, что обеспечивает надежную работу при пиковых нагрузках.

Эффективное рассеивание тепла

Мощность рассеивания 75 Вт позволяет компоненту эффективно отводить тепло во время работы. Это важно для стабильной работы устройств без перегрева.

Быстрая коммутация

Время включения транзистора составляет 104 нс, а время выключения — 700 нс. Такие характеристики обеспечивают быстрое переключение состояний в силовых электронных схемах.

Удобный монтаж и управление

Компонент выполнен в корпусе D3PAK для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает пайку и интеграцию в печатные платы. Напряжение управления затвором составляет ±20 В, а заряд затвора — 17 нКл, что определяет параметры управляющего сигнала.