Транзистор IGBT IXYS IXBT24N170, 1,7 кВ, 24 А, TO268 — набор 2 шт.

Транзистор IGBT от бренда IXYS, модель IXBT24N170, предназначен для высоковольтных применений. Этот компонент в корпусе TO268 обеспечивает рабочее напряжение 1,7 кВ и ток коллектора 24 А, что делает его подходящим для мощных электронных схем.

• Напряжение коллектор-эмиттер 1,7 кВ для высоковольтных применений
• Ток коллектора 24 А и импульсный ток 230 А
• Мощность рассеивания 250 Вт
• Корпус TO268 и монтаж SMD
• Технология BiMOSFET™ для эффективной коммутации
• Набор из 2 транзисторов

Высоковольтная работа

Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 1,7 кВ, что позволяет использовать его в системах с повышенным напряжением. Такая характеристика важна для промышленного оборудования и энергетических преобразователей, где стабильность при высоких нагрузках является критической.

Мощность и ток

Компонент выдерживает постоянный ток коллектора 24 А и импульсный ток до 230 А. Мощность рассеивания составляет 250 Вт, что требует надлежащего отвода тепла. Это обеспечивает надежную работу в режимах с высокими пиковыми нагрузками.

Технология и монтаж

Используется технология BiMOSFET™, сочетающая преимущества биполярных и MOSFET-структур. Монтаж осуществляется методом SMD в корпусе TO268, что упрощает автоматизированное производство плат. Скорость переключения (время включения 190 нс, выключения 1285 нс) оптимизирована для эффективной коммутации.

Скорость переключения и управление затвором

Время включения составляет 190 нс, а выключения — 1285 нс, что обеспечивает эффективную коммутацию в импульсных схемах. Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20 В определяет требования к драйверу управления. Заряд затвора 0,14 мкКл влияет на мощность, необходимую для быстрого переключения. Товар поставляется набором из 2 штук, что удобно для ремонтных работ или прототипирования.