Транзистор IGBT IXYS IXBH42N170A, 1,7 кВ, 21 А, TO247-3

Транзистор IGBT IXYS IXBH42N170A — это высоковольтный полупроводниковый прибор в корпусе TO247-3, предназначенный для мощных электронных систем. Благодаря технологии BiMOSFET™ и высокому напряжению коллектор-эмиттер 1,7 кВ он обеспечивает эффективное переключение в промышленных применениях.

• Напряжение коллектор-эмиттер 1,7 кВ для высоковольтных применений
• Номинальный ток коллектора 21 А
• Рассеиваемая мощность 357 Вт
• Технология BiMOSFET™ для оптимизированной работы
• Корпус TO247-3 со сквозным монтажом (THT)
• Время включения 33 нс

Высокое напряжение и ток

Прибор работает с напряжением коллектор-эмиттер 1,7 кВ и номинальным током коллектора 21 А. Это позволяет использовать транзистор в высоковольтных инверторах и источниках питания, где требуется надежная работа под большой нагрузкой.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 357 Вт. Такой показатель гарантирует стабильную работу компонента в сложных термических условиях, что критично для промышленного оборудования.

Быстрое переключение

Время включения транзистора составляет 33 нс, а время выключения — 308 нс. Эти параметры обеспечивают быструю реакцию на управляющие сигналы, что важно для систем с высокими требованиями к точности и быстродействию.

Высокая импульсная мощность и управление затвором

Прибор выдерживает импульсный ток коллектора до 265 А, что обеспечивает высокую надежность в режимах пиковых нагрузок. Максимальное напряжение затвор-эмиттер составляет ±20 В, а заряд затвора — 188 нКл. Эти параметры определяют требования к драйверу затвора и позволяют точно рассчитать энергию переключения.