Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR2905ZTRPBF, 55 В, 43 А, DPAK (набор 20 шт.)

N-канальный MOSFET-транзистор Infineon IRLR2905ZTRPBF в корпусе DPAK предназначен для применения в силовых цепях с логическим уровнем управления. Комплект из 20 штук обеспечивает необходимое количество компонентов для серийного производства или ремонта электронных устройств.

• Ток стока 43 А и импульсный ток 240 А
• Напряжение сток-исток 55 В
• Рассеиваемая мощность 110 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 13,5 мОм
• Корпус DPAK для поверхностного монтажа (SMD)
• Логический уровень управления затвором
• Комплект из 20 транзисторов

Мощность и токовые характеристики

Транзистор рассчитан на максимальную рассеиваемую мощность 110 Вт и постоянный ток стока 43 А. Импульсный ток может достигать 240 А, что позволяет использовать компонент в схемах с высокими пиковыми нагрузками. Максимальное напряжение сток-исток составляет 55 В, что определяет предельное значение для этого компонента.

Эффективность и сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 13,5 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Такое низкое сопротивление важно для повышения КПД силовых цепей и снижения тепловых потерь.

Удобство монтажа и управления

Компонент выполнен для поверхностного монтажа (SMD) в стандартном корпусе DPAK, что упрощает автоматизированную пайку на печатных платах. Транзистор имеет логический уровень управления (logic level), что позволяет управлять им сигналами логического уровня. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±16 В, а заряд затвора — 35 нКл. Технология HEXFET® обеспечивает стабильные характеристики транзистора. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.