Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR2905TRPBF, DPAK, 55 В, 30 А, комплект 20 шт.
2 070 ₴
- В наличии
- Код: TM074509
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR2905TRPBF, DPAK, 55 В, 30 А, комплект 20 шт.В наличии
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR2905TRPBF — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 20 штук.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Напряжение сток-исток: 55 В
- Ток стока: 30 А (постоянный), 160 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 110 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 27 мОм
- Комплектация: 20 шт.
Напряжение и ток
Транзистор имеет напряжение сток-исток 55 В и постоянный ток стока 30 А. В импульсном режиме ток может достигать 160 А, а рассеиваемая мощность составляет 110 Вт.
Сопротивление и технология
Прибор изготовлен по технологии HEXFET® и имеет канал обогащения. Сопротивление в состоянии проводимости равно 27 мОм. Напряжение затвор-исток составляет ±16 В, а заряд затвора — 48 нКл. Транзистор обладает свойством логического уровня (logic level).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 16 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 30 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 27 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 070 ₴