Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR120NTRPBF, 100 В, 11 А, DPAK (набор 20 шт.)
1 910 ₴
- В наличии
- Код: TM074507
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR120NTRPBF, 100 В, 11 А, DPAK (набор 20 шт.)В наличии
1 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IRLR120NTRPBF. Компоненты в корпусе DPAK рассчитаны на напряжение 100 В и ток 11 А, подходят для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 11 А
- Рассеиваемая мощность: 39 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технология: HEXFET®
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические характеристики
Транзисторы имеют канал обогащенного типа и работают по технологии HEXFET®. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 39 Вт. Элементы являются униполярными, что определяет специфику их использования в электрических схемах.
Корпус и монтаж
В упаковке поставляется 20 единиц транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 39 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 11 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 910 ₴