Транзистор N-MOSFET Infineon IRLML2060TRPBF, 60 В, 1,2 А, SOT23, набор 60 шт.
1 930 ₴
- В наличии
- Код: TM074502
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLML2060TRPBF, 60 В, 1,2 А, SOT23, набор 60 шт.В наличии
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 60 транзисторов Infineon IRLML2060TRPBF типа N-MOSFET в корпусе SOT23. Компоненты рассчитаны на напряжение 60 В и ток 1,2 А, предназначены для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 1,2 А
- Рассеиваемая мощность: 1,25 Вт
- Корпус: SOT23 (SMD монтаж)
- Технология: HEXFET®
- Количество в наборе: 60 шт.
Технические параметры
Транзисторы имеют максимальное напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 1,2 А. Рассеиваемая мощность составляет 1,25 Вт. Это униполярные приборы с каналом обогащения.
Особенности конструкции
Компоненты изготовлены по технологии HEXFET®. Корпус SOT23 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). В комплекте поставляется 60 штук. Транзисторы имеют логический уровень управления (logic level), что упрощает подключение к цифровым схемам. Тип канала — обогащенный (enhancement mode).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.2 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 930 ₴