Транзистор N-MOSFET Infineon IRLML0060TRPBF, 60 В, 2,7 А, SOT23 (набор 40 шт.)
2 290 ₴
- В наличии
- Код: TM035874
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLML0060TRPBF, 60 В, 2,7 А, SOT23 (набор 40 шт.)В наличии
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 40 транзисторов Infineon IRLML0060TRPBF типа N-MOSFET в корпусе SOT23. Предназначены для поверхностного монтажа на плату (SMD) и работы с логическим уровнем управления.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, обогащаемый канал
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 2,7 А
- Рассеиваемая мощность: 1,25 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Технология: HEXFET®
- Количество в комплекте: 40 шт.
Электрические характеристики
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 60 В и выдерживает ток стока 2,7 А. Рассеиваемая мощность составляет 1,25 Вт. Компонент является униполярным с обогащаемым каналом, что определяет его поведение в схемах.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в компактном корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Такое решение позволяет размещать транзисторы на печатных платах с высокой плотностью.
Технология HEXFET®
Транзистор изготовлен по технологии HEXFET®, которая влияет на его ключевые параметры. Это фирменная технология Infineon, используемая в силовых MOSFET-транзисторах.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.7 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 290 ₴