
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL024ZTRPBF, 55 В, 4 А, SOT223, набор 30 шт.
2 590 ₴
- В наличии
- Код: TM019160
Набор из 30 транзисторов N-MOSFET Infineon IRLL024ZTRPBF в корпусе SOT223. Компоненты предназначены для монтажа на поверхность (SMD) и работают в схемах с напряжением до 55 В и током до 4 А.
- Тип: N-MOSFET, канал с индуцированным каналом
- Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
- Постоянный ток стока: 4 А (импульсный до 40 А)
- Сопротивление в открытом состоянии: 60 мОм
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Количество в наборе: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 55 В и постоянный ток стока 4 А. В импульсном режиме ток может достигать 40 А, что позволяет использовать компонент в силовых ключах. Сопротивление в открытом состоянии составляет 60 мОм, что снижает потери мощности при работе.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологии HEXFET®, что обеспечивает стабильные характеристики. Корпус SOT223 предназначен для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает автоматизацию производства печатных плат. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1 Вт.
Заряд затвора и управление
В комплекте поставляется 30 транзисторов, что удобно для прототипирования или серийного производства небольших партий.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 16 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технология | HEXFET® |
- Цена: 2 590 ₴
