Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL024NTRPBF, 55 В, 4,4 А, SOT223 (комплект 30 шт.)

2 730 ₴

  • В наличии
  • Код: TM019159
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL024NTRPBF, 55 В, 4,4 А, SOT223 (комплект 30 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL024NTRPBF, 55 В, 4,4 А, SOT223 (комплект 30 шт.)В наличии
2 730 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL024NTRPBF — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется комплектом из 30 штук.

  • Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
  • Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
  • Ток стока: 4,4 А
  • Сопротивление в открытом состоянии: 65 мОм
  • Корпус: SOT223, монтаж SMD
  • Комплект: 30 шт.

Электрические параметры и надежность

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 55 В и ток стока 4,4 А, что позволяет использовать его в цепях питания и управления средней мощности. Сопротивление в открытом состоянии составляет 65 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность ограничена 2,1 Вт.

Удобство управления и технология

Компонент изготовлен по технологии HEXFET®. Компонент обладает свойством Logic Level. Напряжение затвор-исток составляет ±16 В.

Монтаж и комплектация

Корпус SOT223 и тип монтажа SMD. Комплект из 30 транзисторов. Заряд затвора составляет 10,4 нКл, что влияет на скорость переключения.

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon Technologies
Максимальная мощность рассеивания2.1 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток16 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток55 В
Максимально допустимый ток стока4.4 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)65 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте30 шт.
КорпусSOT223
ТехнологияHEXFET®
Информация для заказа
  • Цена: 2 730 ₴