
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL024NTRPBF, 55 В, 4,4 А, SOT223 (комплект 30 шт.)
2 730 ₴
- В наличии
- Код: TM019159
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL024NTRPBF — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется комплектом из 30 штук.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
- Ток стока: 4,4 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 65 мОм
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Комплект: 30 шт.
Электрические параметры и надежность
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 55 В и ток стока 4,4 А, что позволяет использовать его в цепях питания и управления средней мощности. Сопротивление в открытом состоянии составляет 65 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность ограничена 2,1 Вт.
Удобство управления и технология
Компонент изготовлен по технологии HEXFET®. Компонент обладает свойством Logic Level. Напряжение затвор-исток составляет ±16 В.
Монтаж и комплектация
Корпус SOT223 и тип монтажа SMD. Комплект из 30 транзисторов. Заряд затвора составляет 10,4 нКл, что влияет на скорость переключения.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 16 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4.4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 65 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 730 ₴
