Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB8314PBF, 30V, 120A, TO220AB, комплект 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB8314PBF — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации высоких токов в силовых электронных схемах. Компонент поставляется комплектом из 20 штук. Модель изготовлена по технологии HEXFET® в корпусе TO220AB.

• Ток стока 120 А и импульсный ток 664 А для мощных схем
• Низкое сопротивление канала 2,4 мОм в состоянии проводности
• Корпус TO220AB для выводного монтажа (THT)
• Изготовлен по технологии HEXFET®
• В комплекте 20 шт.
• Напряжение сток-исток 30 В и рассеиваемая мощность 125 Вт

Высокая токовая нагрузка

Транзистор работает с постоянным током стока 120 А и выдерживает импульсный ток до 664 А. Это позволяет использовать компонент в мощных инверторах, контроллерах двигателей и источниках питания, где требуется коммутация значительных нагрузок с учетом теплового режима. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 125 Вт, что определяет тепловой режим работы устройства.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление канала в состоянии проводности равно 2,4 мОм. Такое низкое значение минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы, снижая потери мощности на транзисторе. Это особенно важно для аккумуляторных систем и энергоэффективных устройств, где каждый микроом сопротивления влияет на время автономной работы.

Удобный монтаж и надежность

Компонент выполнен в корпусе TO220AB для выводного монтажа (THT), что упрощает пайку и замену на печатных платах. Максимальное напряжение сток-исток составляет 30 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Изготовлен по технологии HEXFET®.

Транзистор Infineon IRLB8314PBF подходит инженерам и мастерам, которые создают или обслуживают силовые электронные устройства с высокими требованиями к токовой нагрузке и энергоэффективности.