
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB4132PBF, 30 В, 100 А, TO220AB, комплект 10 шт.
1 890 ₴
- В наличии
- Код: TM074498
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB4132PBF — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 10 штук, что обеспечивает запас компонентов для сборки устройств. Прибор изготовлен по технологии HEXFET®, что гарантирует стабильные параметры и эффективную работу в силовых цепях.
- Комплект из 10 транзисторов
- Ток стока 100 А, импульсный 620 А
- Напряжение сток-исток 30 В
- Сопротивление в открытом состоянии 3,5 мОм
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Технология HEXFET®
Мощность и ток
Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 100 А и импульсный ток до 620 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 140 Вт, что позволяет использовать его в силовых цепях с высокой нагрузкой.
Электрические параметры
Максимальное напряжение сток-исток равно 30 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 3,5 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев при работе.
Тип канала и полярность
Транзистор является униполярным (unipolarny) с каналом обогащения (wzbogacany). Это означает, что прибор закрыт при нулевом напряжении на затворе и открывается только при подаче управляющего сигнала, что упрощает схемы управления.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 140 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3.5 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
- Цена: 1 890 ₴
