Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB4132PBF, 30 В, 100 А, TO220AB, комплект 10 шт.

1 890 ₴

  • В наличии
  • Код: TM074498
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB4132PBF, 30 В, 100 А, TO220AB, комплект 10 шт.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB4132PBF, 30 В, 100 А, TO220AB, комплект 10 шт.В наличии
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB4132PBF — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 10 штук, что обеспечивает запас компонентов для сборки устройств. Прибор изготовлен по технологии HEXFET®, что гарантирует стабильные параметры и эффективную работу в силовых цепях.

  • Комплект из 10 транзисторов
  • Ток стока 100 А, импульсный 620 А
  • Напряжение сток-исток 30 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 3,5 мОм
  • Корпус TO220AB, монтаж THT
  • Технология HEXFET®

Мощность и ток

Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 100 А и импульсный ток до 620 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 140 Вт, что позволяет использовать его в силовых цепях с высокой нагрузкой.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток равно 30 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 3,5 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев при работе.

Тип канала и полярность

Транзистор является униполярным (unipolarny) с каналом обогащения (wzbogacany). Это означает, что прибор закрыт при нулевом напряжении на затворе и открывается только при подаче управляющего сигнала, что упрощает схемы управления.

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon Technologies
Максимальная мощность рассеивания140 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток30 В
Максимально допустимый ток стока100 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)3.5 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте10 шт.
КорпусTO220AB
ТехнологияHEXFET®
Информация для заказа
  • Цена: 1 890 ₴